功率半導體是實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，能夠?qū)﹄妷弘娏鞯倪\用進行有效控制，通過開關(guān)狀態(tài)的變化，實現(xiàn)逆變、整流、變頻等多種功能，控制電子電力系統(tǒng)的能量輸出，將整個電子電力系統(tǒng)的能耗控制在低范圍內(nèi)，從而達到對能量的合理管理，降低能耗，減少碳排放。

功率半導體已經(jīng)成為發(fā)電、輸配電、用電等多個領(lǐng)域的核心器件。例如在發(fā)電的光伏逆變器、風電變流器等設(shè)備，在輸配電領(lǐng)域的直流換流閥、交直流斷路器等設(shè)備，用電領(lǐng)域的電動汽車電驅(qū)、電力機車電驅(qū)、充電樁、儲能換流器、工業(yè)變頻器或變流器等設(shè)備中，功率半導體均發(fā)揮著突出作用。

IGBT、MOSFET是當前市面上常見的功率半導體器件。由于所需驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快，硅基的MOSFET在600V以下的應用中占據(jù)主流。由于導通損耗低、開關(guān)速度較快、耐壓等級高、工作結(jié)溫高、驅(qū)動方便，硅基的IGBT占據(jù)了600V~6500V高壓應用市場。

IGBT具備包括輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)速度快、通態(tài)電流大、導通壓降低、損耗小等諸多優(yōu)點，因此在當前市場環(huán)境中具有絕對優(yōu)勢。

IGBT是一個非通即斷的開關(guān)器件，通過柵源極電壓的變化控制其關(guān)斷狀態(tài)，能夠根據(jù)信號指令來調(diào)節(jié)電壓、電流、頻率、相位等，以達到精準調(diào)控的目的。因此，IGBT成為當前功率半導體市場受歡迎的器件，在新能源發(fā)電、電動汽車及充電樁、電氣化船舶、直流輸電、儲能、工業(yè)電控和節(jié)能等眾多領(lǐng)域均有廣泛應用。

由于儲能逆變器與光伏逆變器技術(shù)相近，進入儲能逆變器的行業(yè)的競爭者大多為光伏逆變器廠商；IGBT作為逆變器的核心器件成為了新的“兵家必爭之地”。

一、IGBT具有廣泛的應用層，在光伏/儲能逆變器中較MOSFET更具優(yōu)勢

低壓IGBT：指電壓等級在1000V以內(nèi)的IGBT器件，例如常見的650V應用于新能源汽車、家電、工業(yè)變頻等領(lǐng)域。

中壓IGBT：指電壓等級在1000-1700V區(qū)間的IGBT器件，例如1200V應用于光伏、電磁爐、家電、電焊機、工業(yè)變頻器和新能源汽車領(lǐng)域，1700V應用于光伏和風電領(lǐng)域。

高壓IGBT：指電壓等級3300V及以上的IGBT器件，比如3300V和6500V應用于高鐵、動車、智能電網(wǎng)，以及工業(yè)電機等領(lǐng)域。

IGBT因其通態(tài)電流大、耐壓高、電壓驅(qū)動等特點，使其在中、高壓容量的系統(tǒng)中更具優(yōu)勢。

在實際項目中IGBT已逐漸取代MOSFET作為光伏逆變器和風力發(fā)電逆變器的核心器件，新能源發(fā)電行業(yè)的迅速發(fā)展將成為IGBT行業(yè)持續(xù)增長的全新動力。

二、光伏+儲能雙驅(qū)動，IGBT市場潛力巨大

在“碳達峰”、“碳中和”目標的驅(qū)動作用下，國家推動綠色能源發(fā)展，光伏發(fā)電屬于綠色環(huán)保的發(fā)電方式，符合全球綠色化環(huán)?；l(fā)展趨勢，國內(nèi)外光伏行業(yè)前景廣闊。我國光伏應用市場增速明顯，裝機量、發(fā)電量不斷提高。儲能裝機量逐年提升，儲能逆變器規(guī)模不斷加大。

政策支持疊加技術(shù)進步，光伏行業(yè)長期發(fā)展明確。其中國內(nèi)風光大基地和“整縣光伏”等項目加快推進，國內(nèi)風光基地一期項目批復規(guī)模約100GW，工商業(yè)分布式光伏和戶用光伏快速增長。

海外市場在后疫情時代和電價上漲的趨勢下需求強勢復蘇，其中歐洲市場和美國市場依然是裝機的主力。據(jù)券商預測，新能源發(fā)電方向2022年全球IGBT需求達107億元，2025年有望增進至200億元。

IGBT作為功率半導體期間，其技術(shù)迭代速度較慢，周期較長，一代產(chǎn)品的使用時間非常長，超過十年。因此，雖然國內(nèi)IGBT廠家的起步較晚，但是行業(yè)留給了本土IGBT廠家充足的發(fā)展和追趕的時間，目前國內(nèi)IGBT廠商技術(shù)進步較快，已經(jīng)有產(chǎn)品能大批量滿足下游客戶需求。

臺灣茂矽推出了幾款適用于中壓范圍6寸晶圓片適用于各類光伏逆變器，如光伏逆變和儲能等。與行業(yè)同類產(chǎn)品相比，溫升更低、可靠性更高。

由工采網(wǎng)代理的臺灣茂硅生產(chǎn)的IGBT晶圓FS工藝6寸IGBT晶圓片P81MV022NL0013P、P81MV020NL0011P、P81MV023NL0014P這三款主要有以下特性：

1、1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù) 2、低開關(guān)損耗 3、正溫度系數(shù) 4、簡易平行）可應用于中等功率驅(qū)動器；不間斷電源。

臺灣茂矽IGBT產(chǎn)品已經(jīng)逐步進入新能源汽車、充電樁、電池管理以及光伏逆變器等領(lǐng)域，并受到客戶的青睞，ISweek工采網(wǎng)擁有一整套完整的解決方案，歡迎致電聯(lián)系

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