存儲芯片以ASIC技術(shù)和FPGA技術(shù)兩種方式實現(xiàn)產(chǎn)品化；是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用，通過在單一芯片中嵌入軟件，實現(xiàn)多功能和高性能，以及對多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持；其中又分為：DRAM與NAND兩種存儲芯片類型。
DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間，DRAM為保持?jǐn)?shù)據(jù)，必須隔一段時間刷新一次，否則存儲的信息就會丟失。
而NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)；它能有效的降低每比特存儲成本、提高容量，更方便存儲數(shù)據(jù)。
由工采網(wǎng)代理的存儲芯片HS-SSD-E3000采用先進(jìn)的SSD控制器和3DNAND閃存，并與?？底灾髟O(shè)計的NAND閃存管理固件配合使用，確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全。
在生產(chǎn)端；HS-SSD-E3000采用優(yōu)質(zhì)的3DNAND閃存和BGA，由自動化生產(chǎn)線制造。它已根據(jù)視頻監(jiān)控服務(wù)器的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了測試，能提供更好的穩(wěn)定性。
產(chǎn)品特色：
◆極速讀寫：PCIe接口，讀取速度可達(dá) 3500 MB/s。
◆3D堆疊技術(shù)：3DNAND技術(shù)進(jìn)一步將容量、性能與穩(wěn)定性提升到更高水平
◆抗震防摔：無機(jī)械結(jié)構(gòu)，采用電子芯片控制，數(shù)據(jù)更安全。
◆應(yīng)用范圍：支持臺式、筆記本等各類設(shè)備。
HS-SSD-E3000共有四個容量范圍：
1、128GB順序讀速度為2118 MB/S；順序?qū)懰俣葹?91MB/S；隨機(jī)讀取速度為65K，寫入熟讀為151K，功耗為1.9W
2、256GB順序讀速度為3428 MB/S；順序?qū)懰俣葹?368MB/S；隨機(jī)讀取速度為125K，寫入熟讀為254K，功耗為2.2W
3、512GB順序讀速度為3500 MB/S；順序?qū)懰俣葹?748MB/S；隨機(jī)讀取速度為252K，寫入熟讀為288K，功耗為2.6W
4、1028GB順序讀速度為3423 MB/S；順序?qū)懰俣葹?152MB/S；隨機(jī)讀取速度為484K，寫入熟讀為293K，功耗為3.5W
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