鍍膜用于學(xué)術(shù)性的語言稱之為薄膜沉積（Thin film depositon）是一種常用的表面處理工藝。被廣泛應(yīng)用于機(jī)械加工、半導(dǎo)體、裝飾材料等領(lǐng)域。下面工采網(wǎng)通過本文向大家介紹一下半導(dǎo)體鍍膜工藝中的流量監(jiān)測。
鍍膜是利用化工產(chǎn)品上光性或者樹脂型化工產(chǎn)品在物體表面形成一層薄膜狀態(tài)物質(zhì)、也就是保護(hù)層！鍍膜工藝一般是PVD和CVD。PVD：物理氣相沉積。通過plasm轟擊金屬靶材（金靶，銅靶，Al，Cr.....），金屬原子脫離靶材，落在wafer表明，形成薄膜。CVD：化學(xué)氣相沉積。這個是通過化學(xué)反應(yīng)，在晶圓表面張氧化薄膜。兩種工藝顯示如下：將鍍膜原料（氣體或蒸汽）經(jīng)過適當(dāng)?shù)倪^程（如分解、化合）使其沉積于基材表面的方法被稱為化學(xué)氣相沉積（CVD），而將鍍膜材料直接冷凝至基材表面成膜則稱為物理氣相沉積（PVD），其中PVD根據(jù)其不同的方法又可細(xì)分為蒸發(fā)、離子沉積、離子濺射、磁控濺射、分子束外延等。
另一方面PVD鍍膜加工的原理是在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，使靶材蒸發(fā)成為反應(yīng)產(chǎn)物沉積在工件上的，物理工藝,綠色健康，質(zhì)最穩(wěn)定。因而在真空鍍膜機(jī)中經(jīng)常使用到的熱式氣體質(zhì)量流量控制器主要是用來控制氣體的進(jìn)氣量，把氣體流量準(zhǔn)確的輸入到真空腔室內(nèi)。氣體質(zhì)量流量控制器主要是用于控制微小流量的氣體，采用全新的制作工藝，是在20℃，1個大氣壓條件下標(biāo)定的，主要是指氣體在1分鐘的體積流量單位。為監(jiān)測真空鍍膜機(jī)中氣體流量變化情況工采網(wǎng)推薦使用質(zhì)量流量控制器MFC2000系列
MFC2000系列質(zhì)量流量控制器采用公司專有的MEMS Thermal-D操作熱量傳感技術(shù)與智能控制電子設(shè)備，這種獨(dú)特的質(zhì)量流量傳感技術(shù)消除了一些擴(kuò)散率相似的氣體的氣體敏感性，并允許在編程后進(jìn)行氣體識別。本產(chǎn)品可用干動態(tài)范圍為100:1的過程控制，其控制范圍為0.1至0.8MPa(15至120 PSL)的壓力和0至50℃的補(bǔ)償溫度。量程在50mL/min到200L/min不同范圍可選，帶有數(shù)字RS485 Modbus通信和模擬輸出。
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