IGBT是由MOS管和三極管結(jié)合組成結(jié)合了兩者優(yōu)點，具有高頻、高電壓、大電流、易于開關(guān)、低導(dǎo)通阻抗、不消耗驅(qū)動電流，非常適合大功率驅(qū)動場景；被業(yè)界譽為電力電子裝置的“CPU”和新能源“芯片”

在新能源汽車中IGBT是應(yīng)用極為廣泛的一種公里半導(dǎo)體元件，電動車之所以具備碾壓燃油車的加速體驗，和這枚“心臟”的作用不無關(guān)系。

新能源汽車是通過電池驅(qū)動電機(jī)來給汽車提供動力輸出的，所以存在交流市電給汽車電池充電和電池放電來驅(qū)動電機(jī)使汽車行駛的場景。這兩個過程都是需要通過使用IGBT設(shè)計的電路來實現(xiàn)。

IGBT約占電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半，而電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)占整車成本的15-20%，也就是說IGBT占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率。

IGBT主要應(yīng)用于電動汽車領(lǐng)域中以下幾個方面：

1、電動控制系統(tǒng)大功率直流／交流（DC／AC）逆變后驅(qū)動汽車電機(jī)。

2、車載空調(diào)控制系統(tǒng)小功率直流／交流（DC／AC）逆變，使用電流較小的IGBT和FRD。

3、充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開關(guān)元件使用。

新能源汽車的生產(chǎn)需要用到的芯片可達(dá)到500-800個，有的甚至超過1000個不同類型的芯片；汽車的芯片種類主要包括主控芯MCU、存儲芯片、傳感器類器件、IGBT功率類芯片、其次是信號鏈類的通信芯片；IGBT可以說是電動車的的核心技術(shù)之一，IGBT的好壞直接影響電動車功率的釋放速度。

目前市面上出現(xiàn)的晶圓直徑主要是150mm、200mm、300mm，分別對應(yīng)6英寸、8英寸、12英寸的晶圓；國產(chǎn)芯片在晶圓的產(chǎn)能上，也就是在6寸上有優(yōu)勢；

全球10大8”晶圓廠約有40座,其中33座在亞洲(臺灣15座,中國8座)在2019-2021產(chǎn)能僅擴(kuò)廠5%,仍不足以滿足后續(xù)電動車與工業(yè)控制市場,導(dǎo)致IGBT持續(xù)漲價。

在IGBT領(lǐng)域，臺灣茂矽電子目前已實現(xiàn)650V-6500V IGBT全電壓范圍覆蓋，并且自主設(shè)計、建造了全球首條6英寸高壓IGBT芯片專業(yè)生產(chǎn)線，攻克了高壓IGBT制造關(guān)鍵技術(shù)和成套工藝，是國內(nèi)自主掌握高鐵動力IGBT芯片及模塊技術(shù)的企業(yè)，相關(guān)產(chǎn)品批量應(yīng)用于軌道交通、輸配電、新能源汽車等多個高端裝備領(lǐng)域，市場優(yōu)勢地位明顯。

茂矽電子成立于1987年，晶圓制造長期聚焦在功率半導(dǎo)體元件及電源管理IC領(lǐng)域，以MOS管、IGBT，模擬芯片、二極管等產(chǎn)品為主，并受到客戶的青睞；

茂矽電子推出三款1200V 6寸晶圓【40A】P81MV022NL0013P、【25A】P81MV020NL0011P、【15A】P81MV023NL0014P）采用FS工藝技術(shù)1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù)；低開關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡單的平行技術(shù)晶圓片；

由工采網(wǎng)代理的茂矽1200VIGBT晶圓系列采用纖薄晶圓場截止溝道技術(shù)，可顯著降低開關(guān)及傳導(dǎo)損耗，從而在較高頻率下提升功率密度和效率。這些器件不僅為無需短路功能的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如不間斷電源、太陽能逆變器、焊接等應(yīng)用，而且為電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用提供10微秒短路功能，與其它IR產(chǎn)品相輔相成。

在IGBT晶圓應(yīng)用領(lǐng)域，臺灣茂矽電子便是其中的佼佼者之一；臺灣茂矽IGBT產(chǎn)品已經(jīng)逐步進(jìn)入新能源汽車、充電樁、電池管理以及光伏逆變器等領(lǐng)域，并受到客戶青睞，擁有一整套完整的解決方案，歡迎聯(lián)系“在線客服”

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