紫外光刻和曝光是半導體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結構的核心技術。在紫外光刻過程中，光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細圖案。
長期以來，半導體制造領域使用傳統(tǒng)大功率汞燈和新型UVLED技術用于光刻設備的紫外光源。UVLED具有獨特的技術優(yōu)勢和成本優(yōu)勢，能夠輸出穩(wěn)定且超高功率的UV輻射，并保證長時間和長工作壽命，為半導體制造領域提供了一種理想解決方案。許多光刻應用依賴于包括?i、h?和?g?線 （365/405/435 nm） 輻射寬帶曝光。
兩種常用紫外光源：汞燈和準分子激光
下圖是高強度汞燈發(fā)射光譜，選擇不同波長作為光刻機的光源，對應的光刻機分別稱之為G-line，H-line，I-line，DUV，波長越長，工藝能力越差，做出來的最小尺寸越大，工藝越落后，所以，6寸常用G-line和I-line，8寸和12寸FAB則主要用DUV和準分子激光，對比準分子激光和其他G-line，I-line光源，可以發(fā)現(xiàn)248nm的DUV的光源強度非常低，這對于生產(chǎn)效率會是大大的降低，因為強度不夠，就只能增加曝光時間，從而降低了單位時間的產(chǎn)出，因此，進入納米時代，光源基本用的都是248nm的KrF準分子激光，或者193nm的ArF激光。
總之對應不同的工藝生產(chǎn)需求，對紫外汞燈的波長已經(jīng)輻射強度也不一樣，但是對紫外輻射強度的要求都是高輻射W/cm2級別的，在十幾W/cm2多到幾十W/cm2這樣。對此，在曝光工藝的設備中，我們常常是需要對改設備發(fā)出的紫外燈波長已經(jīng)輻射強度進行檢測，避免出現(xiàn)很大的誤差和數(shù)值不對，會直接影響芯片質(zhì)量。因此在改曝光設備中，需要高輻射紫外探測器去實時檢測紫外燈的情況。
工采傳感（ISweek）這邊推薦一款德國sglux的高輻射紫外探測器UV-Cure。
“UV- cure”是一種高紫外線輻照度（范圍為20mW/cm2至20W/cm2)的紫外線傳感器，工作溫度適中(<80°C)。通常，該傳感器用于LED和基于冷卻中壓燈的UV固化系統(tǒng)中的負載傳感器，可配置參數(shù)為信號輸出類型、測量范圍和頻譜響應度。具備4-20mA、0-5V或者10V的模擬輸出，也有USB、CAN總線、MOD總線的數(shù)字通信。
同時UV-Cure也有耐高溫特別款，支持高達170°C的工作溫度。
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