充電器是采用高頻電源技術(shù)，運(yùn)用智能動(dòng)態(tài)調(diào)整充電技術(shù)的充電設(shè)備。（充電器）充電機(jī)通過(guò)微機(jī)控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的Wsa+Pulse充電特性曲線，充電電流隨蓄電池的充電電壓的升高而自動(dòng)下降；結(jié)合充電末期的脈沖充電方式，使充電效果更為理想。
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MOS，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管。mos管的工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱(chēng)mos管），它是利用絕緣柵極下的p型區(qū)與源漏之間的擴(kuò)散電流和電場(chǎng)在垂直方向上的不同導(dǎo)電特性來(lái)工作的。
MOS管的source（源極）和drain（漏極）是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
MOS管特點(diǎn)是：
1、柵極電壓很低，一般在幾伏到幾十伏之間；
2、源漏電阻很大，一般都在幾百千歐以上；
3、電流極小或?yàn)?，所以稱(chēng)為"零電阻"，即對(duì)信號(hào)幾乎不產(chǎn)生任何影響；
4、工作溫度范圍很寬，從-55°C至+150°C左右。
5、放大倍數(shù)大、噪聲小、功耗低等優(yōu)良性能。
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