在半導體制造行業(yè)，精密工藝控制對于確保產(chǎn)品質(zhì)量和提升生產(chǎn)效率非常重要。等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術(shù)作為一項關鍵技術(shù)，在薄膜沉積工藝中扮演著重要角色。通過利用等離子體中的活性粒子促進化學反應，PECVD能夠在相對低溫的環(huán)境下生成高質(zhì)量的薄膜。然而，該過程對氣體流量的精確調(diào)控要求極高。在這種情況下，MFC2000系列氣體質(zhì)量流量控制器憑借其卓越的精度、穩(wěn)定性及強大的控制能力，成為半導體PECVD工藝不可或缺的一部分。
在PECVD工藝流程中，MFC設備能夠精準地測量并調(diào)整進入反應室的氣體流量，保證反應氣體供給的準確性。這對于控制薄膜厚度、均勻性以及提高沉積速率尤為關鍵。MFC采用先進的流量傳感技術(shù)和比例閥控制技術(shù)，實現(xiàn)了對氣體流量的精細調(diào)節(jié)。它能實時監(jiān)控流體流量的變化，確保PECVD過程的穩(wěn)定性和一致性，有助于及時識別并解決潛在的設備問題，保障設備長期穩(wěn)定運行。
一、PECVD 基本原理
在低氣壓下，利用低溫等離子體*在工藝腔體陰極產(chǎn)生輝光放電，通過輝光放電或加熱體使襯底升溫至預定溫度，通入適量工藝氣體，經(jīng)化學反應和等離子體反應在樣品表面形成固態(tài)薄膜。
低溫等離子體*，指包括電子、各種離子、原子和自由基的混合體，體系中物質(zhì)非完全電離，電子溫度遠高于離子溫度，但宏觀表現(xiàn)上溫度相對較低，總體處于非熱平衡狀態(tài)，故又稱為非平衡態(tài)等離子體。
反應過程中，氣體從進氣口進入工藝腔體擴散至襯底表面，在射頻源激發(fā)的電場作用下分解成電子、離子和自由基等，發(fā)生化學反應生成形成膜的初始成分和副反應物，以化學鍵形式吸附到襯底表面形成晶核，晶核生長成島狀物再形成連續(xù)薄膜，副產(chǎn)物從膜表面脫離并在真空泵作用下排出。
二、PECVD 基本分類
按照等離子體發(fā)生的頻率來分，PECVD 中所用的等離子體可以分為射頻等離子體（Radio Frequency?Plasma）和微波等離子體（Microwave Plasma）兩種。目前，業(yè)界所用的射頻頻率一般為?13.56MHz。射頻等離子耦合方式通常分為電容耦合（CCP）和電感耦合（ICP）?兩種。
目前?PECVD?主要應用雙頻電源，由?400kHz?和?13.56MHz?構(gòu)成，兩個電源最高功率均為?3000W。相比于單一電源，高頻和低頻相結(jié)合的雙頻驅(qū)動可以顯著地降低啟輝電壓，更有利于獲得穩(wěn)定的等離子體源，減弱帶電粒子對沉積襯底的轟擊及額外損傷，提高了工藝自由度。雙頻電源系統(tǒng)可選工作模式：①高低頻同時作用于反應室，高頻為主，低頻調(diào)制為輔；②高低頻交替作用于反應室，可以快速切換；③高低頻單獨作用于反應室，獨立控制工作。
三、PECVD 基本結(jié)構(gòu)
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1）真空和壓力控制系統(tǒng)：包括機械泵、分子泵、真空閥、真空計等。為減少氮氣、氧氣及水蒸氣影響，采用干泵和分子泵抽氣，干泵抽低真空避免油氣污染基片，分子泵抽高真空，除水蒸氣能力強。
2）淀積系統(tǒng)：由射頻電源、水冷系統(tǒng)、襯底加熱器等組成，是?PECVD?的核心部分。射頻電源使反應氣體離子化，水冷系統(tǒng)為泵提供冷卻并在超溫時報警，冷卻水管路采用絕緣材料。加熱器使襯底升溫除雜質(zhì)，提高薄膜與襯底的附著力。
3）氣體及流量控制系統(tǒng)：氣源由氣體鋼瓶供氣，經(jīng)氣柜輸送至工藝腔體，采用質(zhì)量流量控制器精確控制氣體流量。
下面來自ISweek工采網(wǎng)代理美國SIARGO的一款高精度，量程范圍寬可選的MEMS氣體質(zhì)量流量控制器MFC2000系列。
MFC2000系列質(zhì)量流量控制器采用公司專有的MEMS Thermal-D操作TM熱量傳感技術(shù)與智能控制電子設備，這種獨特的質(zhì)量流量傳感技術(shù)消除了一些擴散率相似的氣體的氣體敏感性，并允許在編程后進行氣體識別。本產(chǎn)品可用干動態(tài)范圍為100:1的過程控制，其控制范圍為0.1至0.8MPa(15至120 PSL)的壓力和0至50℃的補償溫度。量程在50mL/min到200L/min不同范圍可選，帶有數(shù)字RS485 Modbus通信和模擬輸出。
該產(chǎn)品的設計便于更換機械連接器，標準連接器可選雙卡套、VCR或UNF，其他定制連接器可根據(jù)要求提供。SIARGO的MFC2000質(zhì)量流量控制器在PECVD設備中具有很重要的作用，可以精準測量和控制氣體流量的大小。
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