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標(biāo)簽: 氮化鎵芯片
國(guó)產(chǎn)高性價(jià)比氮化鎵芯片，更快高效率充電速度
GaN/氮化鎵比硅更適合做高頻功率器件，可顯著減少電力損耗和散熱負(fù)載，有體積、功率密度方面的明顯優(yōu)勢(shì)。應(yīng)用于變頻器、穩(wěn)壓器、變壓器、無(wú)線充電等領(lǐng)域，可以有效降低... 繼續(xù)閱讀 »
應(yīng)用在65W快充上國(guó)產(chǎn)氮化鎵芯片優(yōu)勢(shì)
氮化鎵是氮和鎵化合物；作為一種全新的半導(dǎo)體材料它具有熱導(dǎo)率高、耐高溫、高硬度、高兼容性等一系列的特性。在早期開(kāi)發(fā)中氮化鎵材料被應(yīng)用于發(fā)光二極管、燈具，新能源等等... 繼續(xù)閱讀 »
