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四川美闊推出650VGaN/氮化鎵 FET增強模式- MGZ31N65
氮化鎵化學式為GaN,由人工合成的半導體材料,是第三代半導體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業(yè)鏈已經初步形成,相關器件快速... 繼續(xù)閱讀 »
氮化鎵化學式為GaN,由人工合成的半導體材料,是第三代半導體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業(yè)鏈已經初步形成,相關器件快速... 繼續(xù)閱讀 »