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標簽: 國產(chǎn)IGBT
淺談半導體IGBT發(fā)展及國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈市場需求分析
IGBT為垂直導電大功率器件它是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件,同時繼承了這兩種功率半導體的優(yōu)點:驅(qū)動功率小且飽和電壓低,適用于高壓、大電流領域... 繼續(xù)閱讀 »
IGBT為垂直導電大功率器件它是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件,同時繼承了這兩種功率半導體的優(yōu)點:驅(qū)動功率小且飽和電壓低,適用于高壓、大電流領域... 繼續(xù)閱讀 »