IGBT為垂直導(dǎo)電大功率器件它是由BJT和MOSFET組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體器件,同時繼承了這兩種功率半導(dǎo)體的優(yōu)點(diǎn):驅(qū)動功率小且飽和電壓低,適用于高壓、大電流領(lǐng)域... 繼續(xù)閱讀 »
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